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参数目录40319
> SI5905BDC-T1-GE3 MOSFET DUAL P-CH D-S 8V 1206-8
型号:
SI5905BDC-T1-GE3
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Vishay Siliconix
描述:
MOSFET DUAL P-CH D-S 8V 1206-8
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
SI5905BDC-T1-GE3 PDF
标准包装
3,000
系列
TrenchFET®
FET 型
2 个 P 沟道(双)
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
8V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
80 毫欧 @ 3.3A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
11nC @ 8V
输入电容 (Ciss) @ Vds
350pF @ 4V
功率 - 最大
3.1W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SMD,扁平引线
供应商设备封装
1206-8 ChipFET?
包装
带卷 (TR)
查看SI5905BDC-T1-GE3代理商
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